這一預(yù)期高于三星今年1月份預(yù)測的HBM芯片銷量。

 

三星電子公司（Samsung Electronics Co.）今年的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片產(chǎn)量可能會比去年增加兩倍，因為它的目標(biāo)是在人工智能（AI）芯片領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。

本周二，在加利福尼亞州圣何塞舉行的全球芯片制造商聚會Memcon 2024上，三星公司執(zhí)行副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)負責(zé)人Hwang Sang-joong表示，他預(yù)計該公司今年的HBM芯片產(chǎn)量將比去年增加2.9倍。

這一預(yù)測高于三星今年早些時候在 CES 2024 上公布的預(yù)測，即該芯片制造商可能會在 2024 年生產(chǎn) 2.5 倍的HBM芯片。

“繼已經(jīng)量產(chǎn)的第三代HBM2E和第四代HBM3之后，我們計劃在今年上半年大批量生產(chǎn)12層第五代HBM和32千兆位的128 GB DDR5產(chǎn)品，”Hwang在Memcon 2024上說：“通過這些產(chǎn)品，我們希望在人工智能時代增強我們在高性能、高容量內(nèi)存領(lǐng)域的影響力。”

在會議上，三星公布了其HBM路線圖，預(yù)計 2026 年的 HBM 出貨量是 2023 年的 13.8 倍。該公司表示，到2028年，HBM內(nèi)存的年產(chǎn)量將進一步上升至2023年的 23.1 倍。

在代號為“Snowbolt”的第六代 HBM 芯片 HBM4 中，三星計劃將緩沖芯片（一種控制設(shè)備）應(yīng)用于堆疊內(nèi)存的底層以提高效率。

此次會議上，三星向與會者展示了其最新的 HBM3E 12H 芯片——業(yè)界首款 12 堆棧 HBM3E DRAM，標(biāo)志著 HBM 技術(shù)有史以來實現(xiàn)的最高容量突破。

三星目前正在向客戶提供HBM3E 12H芯片的樣品，并計劃在上半年開始量產(chǎn)。

參會嘉賓包括SK海力士、Microsoft、Meta Platforms、英偉達和AMD。

CXL技術(shù)

三星還在 Memcon 2024 上公布了其 Compute Express Link （CXL） 內(nèi)存模塊產(chǎn)品組合的擴展，展示了其在 AI 應(yīng)用的高性能和高容量解決方案中的技術(shù)。

在主題演講中，三星設(shè)備解決方案研究美國公司執(zhí)行副總裁崔振赫表示，三星致力于與合作伙伴合作，釋放人工智能時代的全部潛力。

沒有內(nèi)存技術(shù)創(chuàng)新，人工智能創(chuàng)新就無法繼續(xù)。作為內(nèi)存市場的領(lǐng)導(dǎo)者，三星很自豪能夠繼續(xù)推進創(chuàng)新，從業(yè)界最先進的CMM-B技術(shù)到強大的內(nèi)存解決方案，如HBM3E，用于高性能計算和要求苛刻的AI應(yīng)用。

為了突出 CXL 生態(tài)系統(tǒng)的增長勢頭，三星推出了 CXL 內(nèi)存模塊CMM-B，這是一款尖端的 CXL DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品。

該芯片制造商還展示了用于分層內(nèi)存的 CXL 內(nèi)存模塊CMM-H和CXL內(nèi)存模塊DRAM （CMM-D）。

CXL 是下一代接口，可提高高性能服務(wù)器系統(tǒng)中與CPU一起使用的加速器、DRAM和其它存儲設(shè)備的效率。

作為HBM芯片領(lǐng)域的落后者，三星在HBM上投入了大量資金，以與SK海力士和其它內(nèi)存廠商競爭。

HBM 已成為AI熱潮的關(guān)鍵，因為它提供了比傳統(tǒng)存儲芯片更快的處理速度。

上周，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負責(zé)人Kyung Kye-hyun表示，該公司正在開發(fā)其下一代AI芯片Mach-1，旨在通過該芯片顛覆其競爭對手SK海力士，后者是先進HBM領(lǐng)域的主導(dǎo)者。

該公司表示，它已經(jīng)同意在今年年底前向Naver Corp.供應(yīng)Mach-1芯片，交易價值高達1萬億韓元（7.52億美元）。

通過這份合同，Naver希望大幅減少其對全球頂級AI芯片設(shè)計商英偉達（Nvidia）的AI芯片依賴。

SK海力士：2024年實現(xiàn)兩位數(shù)的AI用DRAM銷售

最近，SK海力士首席執(zhí)行官Kwak Noh-Jung表示，預(yù)計到2024年，面向AI芯片組的HBM芯片將占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比。

今年3月，英偉達的供應(yīng)商開始將下一代先進的HBM芯片商業(yè)化。

據(jù)報道，英偉達可能是SK海力士首批出貨的受益者。

HBM 芯片迎合了英偉達和其它在生成式 AI 中處理大量數(shù)據(jù)的GPU。

SK海力士是英偉達目前使用的HBM3版本的唯一供應(yīng)商，占據(jù)了AI芯片市場的80%，從而引領(lǐng)了HBM芯片市場。

分析師預(yù)計，到 2024 年，HBM 芯片將占全行業(yè) DRAM 銷售額的 15%，高于 2023 年的 8%。

最近的報道顯示，SK海力士計劃投入40億美元在印第安納州西拉斐特建立一個先進的芯片封裝工廠，并得到美國芯片法案的支持，可能會增加800~1000個工作崗位。